[发明专利]AMOLED用金属掩膜板的制造方法在审
| 申请号： | 201710525447.4 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN109216405A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 李晓伟;陈林森;邵仁锦;浦东林;周小红;谢文 | 申请（专利权）人： | 苏州苏大维格光电科技股份有限公司;苏州大学 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 蔡光仟 |
| 地址： | 215026 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种AMOLED用金属掩膜板的制造方法，包括：形成具有导电图形电极层的基板；对基板进行电铸生长，形成AMOLED用金属掩膜板；将AMOLED用金属掩膜板从基板分离；以及对基板重复进行电铸生长形成AMOLED用金属掩膜板。本发明提供的AMOLED用金属掩膜板的制造方法生产效率高，同时还能有效地降低生产周期和生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 金属掩膜板 对基板 电铸 制造 导电图形 基板分离 降低生产 生产效率 生长 电极层 有效地 基板 生产成本 重复 | ||
【主权项】：
1.一种AMOLED用金属掩膜板的制造方法，其特征在于，包括：形成具有导电图形电极层(120)的基板(100)；对所述基板(100)进行电铸生长，形成AMOLED用金属掩膜板(200)；将所述AMOLED用金属掩膜板(200)从所述基板(100)分离；以及对所述基板(100)重复进行电铸生长形成所述AMOLED用金属掩膜板(200)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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