[发明专利]半导体静电防护结构

摘要

本发明涉及一种半导体静电防护结构，包括：衬底；第一阱，形成于所述衬底上；第二阱，形成于所述衬底上，并与所述第一阱相邻设置；所述第一阱中设有第一掺杂区，所述第二阱中设有第二掺杂区和第三掺杂区，且所述第一阱和第二阱相邻的位置设有第四掺杂区；第一掺杂区、第四掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区依次排列，且第一掺杂区与第四掺杂区相互隔离，第二掺杂区与第三掺杂区相互隔离；第二掺杂区和第四掺杂区之间的区域的表面设有栅极结构；其中，第一阱和第二阱的掺杂类型不同；第一掺杂区、第三掺杂区的掺杂类型相同，且与第二掺杂区掺杂类型不同、与第四掺杂区的掺杂类型相同或不同。上述半导体静电防护结构寄生电容小，静电防护能力强。

主权项

1.一种半导体静电防护结构，包括：衬底；第一阱，形成于所述衬底上；第二阱，形成于所述衬底上，并与所述第一阱相邻设置；所述第一阱中设有第一掺杂区，所述第二阱中设有第二掺杂区和第三掺杂区，且所述第一阱和第二阱相邻的位置设有第四掺杂区；所述第一掺杂区、第四掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区依次排列，且相邻的不同掺杂类型的掺杂区之间相互隔离，相同掺杂类型的两个掺杂区之间的区域表面设有栅极结构；其中，所述第一阱和第二阱的掺杂类型不同；所述第一掺杂区、第三掺杂区的掺杂类型相同，且与第二掺杂区掺杂类型不同、与第四掺杂区的掺杂类型相同或不同；所述第一掺杂区单独引出、或当与第四掺杂区掺杂类型相同时与栅极结构一起引出。