[发明专利]发光二极管LED的制备方法及LED有效

专利信息
申请号: 201710527783.2 申请日: 2017-06-30
公开(公告)号: CN107256916B 公开(公告)日: 2019-01-08
发明(设计)人: 史洁;郑远志;康建;梁旭东 申请(专利权)人: 圆融光电科技股份有限公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 张洋;黄健
地址: 243000 安徽省马鞍*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明实施例提供一种发光二极管LED的制备方法及LED。该方法包括:在基板上依次从下至上生长N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流拓展层、在电流拓展层的表面生长透明绝缘层以及电极;对所述透明绝缘层进行光刻处理,以在所述透明绝缘层的表面形成具有均匀分布的N个半球面的掩膜层;N为大于1的正整数;对所述掩膜层进行刻蚀处理,以在所述透明绝缘层的表面形成具有均匀分布的N个半球面的钝化光导出层。本发明实施例的方法提高了LED芯片出光率,改善器件的光学性能,具有工艺简单,制作成本低,适用于大规模量产的特点。
搜索关键词: 发光二极管 led 制备 方法
【主权项】:
1.一种发光二极管LED的制备方法,其特征在于,包括:在基板上依次从下至上生长N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流拓展层、透明绝缘层以及电极;在所述透明绝缘层上形成粘胶层;使用光刻板对所述粘胶层进行光刻处理,以在所述透明绝缘层的表面形成具有均匀分布的N个半球面的掩膜层;N为大于1的正整数;所述光刻板包括:玻璃层和遮光层;所述遮光层为布拉格反射层;所述遮光层在所述光刻板上的单位遮光图形为厚度由边缘至中心点递增的半球形布拉格反射层;对所述掩膜层进行刻蚀处理,以在所述电流拓展层的表面形成具有均匀分布的N个半球面的钝化光导出层。
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