[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板、显示装置有效

专利信息
申请号: 201710529951.1 申请日: 2017-06-30
公开(公告)号: CN107170834B 公开(公告)日: 2019-11-26
发明(设计)人: 许文钦;席克瑞;林柏全;李金玉 申请(专利权)人: 上海天马微电子有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L27/12;G02F1/167
代理公司: 11444 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 代理人: 王刚;龚敏<国际申请>=<国际公布>=<
地址: 201201 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种薄膜晶管、包括该薄膜晶体管的阵列基板,以及包括该阵列基板的显示装置。其中,所述薄膜晶体管包括栅极、源极/漏极、有源层,还包括辅助电极,所述辅助电极与所述源极/漏极同层设置且互不交叠,且所述辅助电极向所述有源层的垂直投影位于所述有源层内,所述辅助电极位于所述源极与所述漏极之间;所述辅助电极围绕所述源极或所述漏极设置,且所述辅助电极包括圆弧结构,所述源极或所述漏极朝向所述辅助电极的一端为圆弧结构。本发明能够降低薄膜晶体管的寄生电容,同时能够减少薄膜晶体管的占地面积。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 显示装置
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,包括栅极、源极/漏极、有源层,其特征在于,/n还包括辅助电极,所述辅助电极与所述源极/漏极同层设置且互不交叠,且所述辅助电极向所述有源层的垂直投影位于所述有源层内,所述辅助电极位于所述源极与所述漏极之间;/n所述辅助电极围绕所述源极或所述漏极设置,且所述辅助电极包括圆弧结构,所述源极或所述漏极朝向所述辅助电极的一端为圆弧结构。/n
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