[发明专利]一种红外偏振焦平面器件结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710529967.2 申请日: 2017-06-30
公开(公告)号: CN107342343B 公开(公告)日: 2019-10-08
发明(设计)人: 李东升;杨超伟;韩福忠;郭建华;王向前;姚志健;封远庆;左大凡;王琼芳;李京辉 申请(专利权)人: 昆明物理研究所
主分类号: H01L31/09 分类号: H01L31/09;H01L31/0232;H01L31/18
代理公司: 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 代理人: 赛晓刚
地址: 650221 *** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明涉及一种红外偏振焦平面器件结构及其制备方法,该器件结构包括去除半导体衬底的红外焦平面器件和亚波长金属线栅;红外焦平面器件中,金属微柱分布在读出电路衬底正面的外围,形成了由具有一定中心距的金属微柱组成的矩形圈或方形圈;亚波长金属线栅中,金属线栅可以对中波红外和长波红外波段的光实现偏振,而且,金属线栅衬底正面的外围有一个由具有一定中心距的铟柱组成的矩形圈或方形圈,并和读出电路上的金属微柱组成的矩形圈或方形圈一一对应,铟柱之间的中心距和读出电路上的金属微柱之间的中心距相同;通过将带有铟柱的亚波长金属线栅和去除半导体衬底的红外焦平面器件进行倒装互连,使得读出电路上的金属微柱插入到亚波长金属线栅上的铟柱内,进而形成稳定结构的红外偏振焦平面器件。
搜索关键词: 一种 红外 偏振 平面 器件 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种红外偏振焦平面器件结构,其特征在于,包括去除半导体衬底的红外焦平面器件和亚波长金属线栅;所述去除半导体衬底的红外焦平面器件中,金属微柱分布在读出电路衬底正面的外围,形成了由金属微柱组成的矩形圈,且金属微柱为金属Al,金属微柱之间存在有中心距;所述读出电路上的金属微柱插入到亚波长金属线栅上的铟柱内,且亚波长金属线栅位于去除半导体的红外焦平面的上方,亚波长金属线栅正面向下。
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