[发明专利]一种低噪声低损耗绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201710530001.0 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107180865B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;李胜;徐志远;杨卓;张小双;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种低噪声低损耗绝缘栅双极型晶体管，包括：底部设有集电极金属电极的P型衬底，在P型衬底上方设有N型缓冲层，N型缓冲层上设有N型外延层，在N型外延层内设有一维阵列分布的P型体区，并在其中设有重掺杂N型发射区，在P型体区与N型外延层之间设有N型载流子存储层，所述晶体管还包括按一维阵列分布的侧壁覆盖有隔离氧化层的沟槽，各个沟槽横向贯穿各P型体区、重掺杂N型发射区及N型外延层，在沟槽内设有和金属层相连的二极管，在各沟槽下方分别设有重掺杂P阱；在位于相邻沟槽之间的N型外延层的上方分别设有栅氧化层，在栅氧化层上方覆盖有多晶硅栅极；将各个重掺杂N型发射区、P型体区和第二金属连接层连接，作为器件的发射极。 | ||
| 搜索关键词： | 重掺杂 一维阵列 栅氧化层 衬底 绝缘栅双极型晶体管 多晶硅栅极 隔离氧化层 集电极金属 金属连接层 二极管 沟槽横向 相邻沟槽 电极 低损耗 低噪声 发射极 金属层 晶体管 侧壁 覆盖 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种低噪声低损耗绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底(1)，在所述的P型衬底(1)底部设有阳极金属层并作为器件的集电极，在P型衬底(1)上方设有N型缓冲层(2)，N型缓冲层(2)上设有N型外延层(3)，在N型外延层(3)内设有按一维阵列分布的P型体区(9)，在各相邻P型体区(9)之间的部分N型外延层两侧分别设有重掺杂N型发射区(10)且所述重掺杂N型发射区位于相应的P型体区(9)内，其特征在于，所述晶体管还包括按一维阵列分布的侧壁覆盖有隔离氧化层(8)的沟槽，各个沟槽沿晶体管横向贯穿各个P型体区(9)、重掺杂N型发射区(10)及N型外延层(3)，并且，所述沟槽纵向深及N型外延层(3)，在沟槽内设有第一金属连接层(51)和第二金属连接层(52)，在第一金属连接层(51)与第二金属连接层(52)之间设有由二极管阳极区(6)和二极管阴极区(7)构成且串联连接的二极管，在所述各沟槽下方分别设有重掺杂P阱(4)，所述重掺杂P阱(4)位于N型外延层(3)内且位于N型外延层(3)内的部分沟槽被重掺杂P阱(4)包围；在位于相邻沟槽之间的部分N型外延层的上方分别设有栅氧化层(11)且所述栅氧化层(11)的两侧分别延伸至与所述部分N型外延层相邻的两个重掺杂N型发射区(10)上方，在栅氧化层(11)上方覆盖有多晶硅栅极(12)；各个重掺杂N型发射区(10)及P型体区(9)相连接并通过所述第二金属连接层(52)与最上方的二极管阴极区连接，作为器件的发射极。/n
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