[发明专利]半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备有效
| 申请号： | 201710530250.X | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107887441B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;王桂磊;亨利·H·阿达姆松;张严波;朱正勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；依次叠置在衬底上的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，沟道层包括与Si材料相比具有增大开态电流和/或减小关态电流的半导体材料；以及绕沟道层的外周形成的栅堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 包括 器件 电子设备 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；依次叠置在衬底上的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，沟道层包括与Si材料相比具有增大开态电流和/或减小关态电流的半导体材料；以及绕沟道层的外周形成的栅堆叠。
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