[发明专利]一种制备碳化硅粉末的方法有效
| 申请号： | 201710531096.8 | 申请日： | 2017-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109205625B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 周芳享;周维;张颖;吴建华;余炯智 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 王园园;李婉婉 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及碳化硅制备领域，具体涉及一种制备碳化硅粉末的方法。该方法包括：沿垂直方向将硅晶片与碳粉层依次间隔层叠堆积，且最上层和最下层均为碳粉层，然后进行碳化硅合成反应；其中，每层硅晶片的上下表面上覆盖有碳粉，所述硅晶片的层数为N，所述碳粉层的层数为N+1，N为大于等于3的整数。本发明的方法制得的碳化硅粉末中碳化硅含量较高且杂质含量较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 碳化硅 粉末 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备碳化硅粉末的方法，其特征在于，该方法包括：沿垂直方向将硅晶片与碳粉层依次间隔层叠堆积，且最上层和最下层均为碳粉层，然后进行碳化硅合成反应；其中，每层硅晶片的上下表面上覆盖有碳粉，所述硅晶片的层数为N，所述碳粉层的层数为N+1，N为大于等于3的整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪股份有限公司，未经比亚迪股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710531096.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
