[发明专利]完全隔离型的横向扩散金属氧化物半导体结构及制造方法有效

专利信息
申请号: 201710533760.2 申请日: 2017-07-03
公开(公告)号: CN109216431B 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 王琼 申请(专利权)人: 无锡华润上华科技有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 邓云鹏
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种完全隔离型的横向扩散金属氧化物半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括第一掺杂类型的衬底、置于所述第一掺杂类型衬底内的第二掺杂类型埋层、形成在所述第二掺杂类型埋层上的主结构以及设置在所述主结构周围的隔离环,所述埋层与隔离环一起将主结构进行隔离,其特征在于,所述第二掺杂类型埋层内形成有第一掺杂类型的扩展层,所述扩展层靠近所述主结构一侧、且与主结构内的阱区形成一体。该制造方法用于制造该半导体结构。上述方法制造的半导体结构可以应用于高压领域。
搜索关键词: 完全 隔离 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 结构 制造 方法
【主权项】:
1.一种完全隔离型的横向扩散金属氧化物半导体结构,包括第一掺杂类型的衬底、置于所述第一掺杂类型衬底内的第二掺杂类型埋层、形成在所述第二掺杂类型埋层上的主结构以及设置在所述主结构周围的隔离环,所述埋层与隔离环一起将主结构进行隔离,其特征在于,所述第二掺杂类型埋层内形成有第一掺杂类型的扩展层,所述扩展层靠近所述主结构一侧、且与主结构内的阱区形成一体。
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