[发明专利]完全隔离型的横向扩散金属氧化物半导体结构及制造方法有效
申请号: | 201710533760.2 | 申请日: | 2017-07-03 |
公开(公告)号: | CN109216431B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 王琼 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 邓云鹏 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种完全隔离型的横向扩散金属氧化物半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括第一掺杂类型的衬底、置于所述第一掺杂类型衬底内的第二掺杂类型埋层、形成在所述第二掺杂类型埋层上的主结构以及设置在所述主结构周围的隔离环,所述埋层与隔离环一起将主结构进行隔离,其特征在于,所述第二掺杂类型埋层内形成有第一掺杂类型的扩展层,所述扩展层靠近所述主结构一侧、且与主结构内的阱区形成一体。该制造方法用于制造该半导体结构。上述方法制造的半导体结构可以应用于高压领域。 | ||
搜索关键词: | 完全 隔离 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种完全隔离型的横向扩散金属氧化物半导体结构,包括第一掺杂类型的衬底、置于所述第一掺杂类型衬底内的第二掺杂类型埋层、形成在所述第二掺杂类型埋层上的主结构以及设置在所述主结构周围的隔离环,所述埋层与隔离环一起将主结构进行隔离,其特征在于,所述第二掺杂类型埋层内形成有第一掺杂类型的扩展层,所述扩展层靠近所述主结构一侧、且与主结构内的阱区形成一体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司,未经无锡华润上华科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710533760.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体横向变掺杂终端结构及其制备方法
- 下一篇:沟槽型功率器件及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类