[发明专利]沟槽型功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710533771.0 | 申请日： | 2017-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109216432A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 卞铮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种沟槽型功率器件，包括终端区和被终端区包围的元胞区；元胞区内包括多个元胞；元胞包括：第一导电类型重掺杂的硅衬底；第一导电类型轻掺杂的硅外延层；第二导电类型阱区；第一沟槽，贯穿第二导电类型阱区且延伸至硅外延层；第一沟槽内的主控制栅位于屏蔽栅的上部两侧；主控制栅和屏蔽栅、第一沟槽的侧壁之间形成有栅氧化层；第二沟槽，贯穿第二导电类型阱区；第二沟槽与第一沟槽相交连通；第二沟槽的宽度小于第一沟槽的宽度；第二沟槽内的辅助控制栅和第二沟槽的侧壁之间形成有栅氧化层；辅助控制栅与主控制栅相连；以及源区。上述沟槽型功率器件可以有效降低导通电阻。还提供一种沟槽型功率器件的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽型功率器件 导电类型阱 主控制 元胞 第一导电类型 辅助控制 硅外延层 栅氧化层 屏蔽栅 终端区 侧壁 制备 导通电阻 硅衬底 轻掺杂 元胞区 重掺杂 贯穿 源区 连通 相交 包围 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型功率器件，包括终端区和被所述终端区包围的元胞区；所述元胞区内包括多个元胞；所述元胞包括：第一导电类型重掺杂的硅衬底；第一导电类型轻掺杂的硅外延层，所述硅外延层形成于所述硅衬底表面；第二导电类型阱区，形成于所述硅外延层的表面；第一沟槽，贯穿所述第二导电类型阱区且延伸至所述硅外延层；所述第一沟槽内形成有屏蔽栅和主控制栅；所述主控制栅位于所述屏蔽栅两侧且位于所述屏蔽栅的上部；所述屏蔽栅和所述第一沟槽的侧壁及底部之间形成有氧化层；所述主控制栅和所述屏蔽栅、所述第一沟槽的侧壁之间形成有栅氧化层；其特征在于，所述元胞还包括：第二沟槽，贯穿所述第二导电类型阱区；所述第二沟槽与所述第一沟槽相交连通；所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度；所述第二沟槽内形成有辅助控制栅；所述辅助控制栅与所述主控制栅相连；所述辅助控制栅和第二沟槽的侧壁之间形成有栅氧化层；以及第一导电类型重掺杂的源区，形成于所述第二导电类型阱区的表面区域上且被所述第一沟槽和所述第二沟槽包围。
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