[发明专利]一种电磁仿真中斜口面激励源的生成方法

摘要

本发明公开了一种电磁仿真中斜口面激励源的生成方法，先在全局坐标系下建立口面，再在依附于口面的局部坐标系下确定口面的电流密度分布，将口面在全局坐标系和局部坐标系下分别旋转，根据旋转角度计算旋转矩阵，通过旋转矩阵确定全局坐标系和局部坐标系下的点集关联，进而确定口面的电流密度在全局坐标系下的表达方式，最后利用网格对空间进行离散处理来构造斜面激励源，该方法生成的斜面激励源可以实现口面向任意方向出射，通过构造斜面激励源有效的解决了在电磁仿真领域中各种斜面出射的问题，免去了让用户自己构造斜面激励源的繁琐过程，是天线罩仿真，飞机、舰船或车辆的电磁兼容问题以及微波暗室仿真的强有力工具。

主权项

1.一种电磁仿真中斜口面激励源的生成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在电磁仿真软件中建立全局坐标系，在该全局坐标系的中心位置建立预设形状大小的口面；步骤2：在所述全局坐标系中的所述口面上创建局部坐标系，在该局域坐标系中设置该口面的电流密度分布表达方式；步骤3：选取所述全局坐标系中的任意一个坐标轴作为第一旋转轴，将所述口面绕第一旋转轴旋转，再选取所述局部坐标系中的任意一个坐标轴作为第二旋转轴，然后将该口面绕第二旋转轴旋转完成该口面旋转，最后记录在所述全局坐标系和所述局部坐标系中的旋转角度；步骤4：计算所述口面在所述旋转角度下的关联所述全局坐标系和所述局部坐标系的旋转矩阵，并通过该旋转矩阵计算出该口面上任意点在所述全局坐标系下和所述局部坐标系下的坐标对应关系，再通过该旋转矩阵计算出步骤2中电流密度分布对应在所述全局坐标系下的电流密度分布的表达方式；步骤5：在该电磁仿真软件中，将该口面进行空间网格离散处理，并根据在所述全局坐标系下的电流密度分布表达方式生成电流分布表达方式，最终形成斜口面激励源。