[发明专利]一种TiB2有效

专利信息
申请号: 201710535947.6 申请日: 2017-07-04
公开(公告)号: CN107200586B 公开(公告)日: 2020-08-07
发明(设计)人: 张朝晖;程兴旺;胡正阳;王富耻;王虎;李昇霖;宋奇;李云凯 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: C04B35/58 分类号: C04B35/58;C04B35/64
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 周蜜;仇蕾安
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种TiB2陶瓷块体的快速制备方法,属于功能防护材料制备领域。所述方法通过将TiB2粉和Al粉加入球磨罐中,混合均匀,干燥,得到混合粉末;采用放电等离子烧结系统对所述混合粉末进行烧结处理,得到所述TiB2陶瓷块体。电场会在烧结过程中清洁和活化所述混合粉末的颗粒表面,使混合粉末致密化过程在较低的烧结温度下进行,大大缩短烧结时间,烧结得到的TiB2陶瓷块体致密度高,硬度高,综合性能良好,可应用于防护材料领域;所述方法简单易行,周期短,实用性强,有利于工业化。
搜索关键词: 一种 tib base sub
【主权项】:
一种TiB2陶瓷块体的快速制备方法,其特征在于:所述方法步骤如下:(1)将TiB2粉和Al粉加入球磨罐中,混合均匀得到混合泥浆,干燥,得到混合粉末;TiB2粉和Al粉的质量比为(19~199):1;(2)采用放电等离子烧结系统对所述混合粉末进行烧结处理,得到所述TiB2陶瓷块体;烧结过程为:在初始真空度<15Pa,初始压力为0.2MPa~1MPa下,以60℃/min~180℃/min的升温速率进行升温;当温度升至600℃时,调节升温速率为30℃/min以下;当温度高于680℃,且烧结的混合粉末位移率变化量≤0.02mm/s时,调节升温速率为50℃/min~120℃/min;当温度高于1200℃~1700℃且真空度<15Pa时,调节升温速率为30℃/min~50℃/min,并同时加压,待温度升至1250℃~1750℃,压力达5MPa~50MPa后,保温保压3min~15min;然后保持压力不变,随炉冷却至900℃以下,卸除压力,随炉冷却至100℃以下。
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