[发明专利]半导体封装结构在审
申请号: | 201710536646.5 | 申请日: | 2017-07-04 |
公开(公告)号: | CN107644851A | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 林岷臻;周哲雅;陈南诚 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L25/065 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种半导体封装结构,具有更好的集成度。其中该半导体封装结构包括重分布层结构,具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面,其中该重分布层结构包括金属间介电层和设置于该金属间介电层的第一层级处的第一导电层;模塑料,覆盖该重分布层结构的该第一表面;第一半导体晶粒,设置在该重分布层结构的该第二表面上,并且电性耦接至该重分布层结构;以及多个凸块结构,设置在该重分布层结构的该第二表面上,并且电性耦接至该重分布层结构。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种半导体封装结构,其特征在于,包括:重分布层结构,具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面,其中该重分布层结构包括:金属间介电层和设置于该金属间介电层的第一层级处的第一导电层;模塑料,覆盖该重分布层结构的该第一表面;第一半导体晶粒,设置在该重分布层结构的该第二表面上,并且电性耦接至该重分布层结构;以及多个凸块结构,设置在该重分布层结构的该第二表面上,并且电性耦接至该重分布层结构。
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