[发明专利]一种金属膜层沉积方法和金属膜层沉积设备有效
| 申请号： | 201710536931.7 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN109207942B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 何中凯;荣延栋;刘菲菲;夏威;丁培军 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 赵瑞 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属膜层沉积方法和金属膜层沉积设备。该金属膜层沉积方法用于通过磁控溅射沉积方法在基片表面的外延层上沉积金属膜层，包括：在预设时间内，向靶材加载射频功率，在外延层上沉积金属缓冲层；向靶材加载直流功率，直至在外延层上沉积预定厚度的金属膜层。该金属膜层沉积方法，通过在沉积开始的预设时间内向靶材加载射频功率，能够在相同输入功率下使靶材上的负偏压显著降低，靶材电压的降低能减小金属膜层沉积过程中溅射粒子对基片表面外延层的损伤；从而使外延层与金属膜层之间形成良好的欧姆接触，提升LED芯片的良率；通过后续阶段向靶材加载直流功率，能提高金属膜层的沉积速率，提高LED芯片的产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属膜 沉积 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种金属膜层沉积方法，用于通过磁控溅射沉积方法在基片表面的外延层上沉积所述金属膜层，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：在预设时间内，向靶材加载射频功率，在所述外延层上沉积金属缓冲层；步骤S102：向所述靶材加载直流功率，直至在所述外延层上沉积预定厚度的所述金属膜层。
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