[发明专利]具有插塞的半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201710537017.4 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN109216321A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L27/088;H01L29/10;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 侯莉;毛立群 |
| 地址： | 300385*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种具有插塞的半导体器件及其形成方法，该器件包括：半导体衬底，半导体衬底内形成有待电连接元件；位于半导体衬底上的介电层，介电层内形成有露出待电连接元件的通孔；位于通孔内的导电层，覆盖通孔的侧壁以及待电连接元件，并形成有凹槽，导电层的上表面低于通孔的开口；填充通孔并覆盖导电层的金属层。通过在通孔的下端形成具有凹槽的导电层，使得通孔的上端侧壁以及导电层的表面围成上宽下窄的孔，因而提高了金属层填充通孔的能力，使得插塞不易形成空洞、缝隙等缺陷。这样一来，不仅避免了插塞阻值过高的问题，而且避免了用于形成插塞的化学机械研磨工艺中的研磨液残留在插塞的空洞、缝隙内腐蚀插塞，从而影响半导体器件可靠性的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 通孔 插塞 导电层 电连接元件 衬底 半导体 半导体器件 介电层 金属层 填充 空洞 化学机械研磨工艺 影响半导体器件 覆盖导电层 上端侧壁 上宽下窄 上表面 研磨液 侧壁 下端 开口 残留 腐蚀 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种具有插塞的半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有待电连接元件；位于所述半导体衬底上的介电层，所述介电层内形成有露出所述待电连接元件的通孔；位于所述通孔内的导电层，覆盖所述通孔的侧壁以及所述待电连接元件，并形成有凹槽，所述导电层的上表面低于所述通孔的开口；填充所述通孔并覆盖所述导电层的金属层。
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