[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201710540831.1 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN109216434A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 鹿内洋志;鹫谷哲;大野阳平;保立伦则;熊仓弘道 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括碳化硅基板以及保护膜，所述保护膜至少部分地覆盖所述碳化硅基板的主表面以及一个或多个侧壁。因此，可以避免该碳化硅基板的表面与吸水性材料的接触，且半导体器件的耐压表现和长期可靠性会得到进一步的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 碳化硅基板 保护膜 长期可靠性 吸水性材料 主表面 侧壁 耐压 制造 覆盖 表现 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：碳化硅基板；以及保护膜，所述保护膜至少部分地覆盖所述碳化硅基板的主表面以及一个或多个侧壁。
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