[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种能够在不给器件结构带来损伤的情况下导入氟的半导体装置的制造方法。作为处理对象的半导体晶片具有在硅基材的上方隔着二氧化硅的界面层膜形成高介电常数栅极绝缘膜，而且在高介电常数栅极绝缘膜的上方形成含有氟的金属栅极电极的堆叠结构。热处理装置(1)在含有氢的环境气体中从闪光灯向半导体晶片照射闪光来进行100毫秒以下的极短时间加热处理。由此，能够抑制金属栅极电极中含有的氮的扩散，仅使氟从高介电常数栅极绝缘膜扩散至界面层膜和硅基材之间的界面来减少界面态，并提高栅极堆叠结构的可靠性。

主权项

一种半导体装置的制造方法，该制造方法在硅的基板上隔着界面层膜形成高介电常数栅极绝缘膜，其特征在于，该制造方法包括：第一成膜工序，在上述基板的表面隔着二氧化硅的界面层膜形成高介电常数栅极绝缘膜；第二成膜工序，在上述高介电常数栅极绝缘膜上形成含有氟的膜；以及热处理工序，对上述基板实施100毫秒以下的加热处理，使氟向上述高介电常数栅极绝缘膜及上述界面层膜扩散。