[发明专利]一种采用多周期表面DFB光反馈系统抑制1550nm SLD器件F-P激射的方法

摘要

一种采用多周期表面DFB光反馈系统来抑制SLD器件的F‑P激射的方法属于光电子器件的结构设计与制备工艺领域。已知普通超辐射发光二极管不足之处是在传统激光器结构基础上，通过各种局部结构调整来破坏法布里‑珀罗(Fabry‑Perot，F‑P)型前后腔面之间的光振荡，进而抑制光激射的发生，该类SLD发光稳定性差、器件老化时会产生激射。本发明不单纯地抑制F‑P振荡，而是在各种传统抑制F‑P振荡的基础上，引入另外一个完全不同的光振荡系统，该光振荡系统参与竞争高能级载流子以达到钳制腔面间的F‑P增益、湮灭F‑P激射的目的，在确保该光振荡系统具有模式竞争能力强、对增加器件功率有益、对扩展光谱宽度有益等优点，并且在大电流注入下该光振荡系统不具备单独激射能力的同时，该结构器件只依靠后期制作工艺就能够实现，规避开二次外延生长工艺。

主权项

1.一种采用多周期表面DFB光反馈系统抑制SLD器件F‑P激射的方法，其特征在于，其包括如下步骤：1)在脊形台面上利用纳米压印和ICP干法刻蚀制技术备出图2中所示的四组分别对应波长1520nm、1540nm、1560nm、1580nm的光栅，四组光栅周期分别为231.70nm、234.75nm、237.80nm和240.85nm，纳米洞直径均为80nm。2)上述纳米洞穿过上限制层并在上波导层中间处截止，在外延片上快速蒸镀SiO2，且在纳米洞的中上部细窄处形成如图3所示的纳米洞微腔结构，形成折射率在2以上的光子晶体结构。