[发明专利]双面塑封扇出型系统级叠层封装结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710542858.4 申请日: 2017-07-05
公开(公告)号: CN107195625A 公开(公告)日: 2017-09-22
发明(设计)人: 陈彦亨;林正忠 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 上海光华专利事务所31219 代理人: 余明伟
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种双面塑封扇出型系统级叠层封装结构及其制备方法,包括如下步骤1)提供一载体;2)于载体的上表面形成重新布线层;3)于重新布线层的第一表面形成连接焊球;4)于重新布线层的第一表面键合半导体芯片;5)于重新布线层的第一表面形成第一塑封层;6)去除载体;7)于重新布线层的第二表面键合被动元件;8)于重新布线层的第二表面形成第二塑封层;9)于第一塑封层的上表面形成焊料凸块。本发明的双面塑封扇出型系统级叠层封装结构在重新布线层的上下两侧分别设置半导体芯片与被动元件,可以提高封装结构的整体效率;同时,由于半导体芯片与被动元件分别位于重新布线层的上下两侧,二者与重新布线层呈叠层结构,体积较小。
搜索关键词: 双面 塑封 扇出型 系统 级叠层 封装 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
一种双面塑封扇出型系统级叠层封装结构的制备方法,其特征在于,所述双面塑封扇出型系统级叠层封装结构的制备方法包括如下步骤:1)提供一载体;2)于所述载体的上表面形成重新布线层,所述重新布线层包括相对的第一表面及第二表面;3)于所述重新布线层的第一表面形成连接焊球,所述连接焊球与所述重新布线层电连接;4)于所述重新布线层的第一表面键合半导体芯片,所述半导体芯片与所述重新布线层电连接;所述半导体芯片的上表面低于所述连接焊球的上表面;5)于所述重新布线层的第一表面形成第一塑封层,所述第一塑封层填满所述连接焊球与所述半导体芯片之间的间隙,并将所述连接焊球及所述半导体芯片塑封;所述第一塑封层的上表面不高于所述连接焊球的上表面;6)去除所述载体;7)于所述重新布线层的第二表面键合被动元件,所述被动元件与所述重新布线层电连接;8)于所述重新布线层的第二表面形成第二塑封层,所述第二塑封层填满所述被动元件之间的间隙,并将所述被动元件完全封裹塑封;9)于所述第一塑封层的上表面形成焊料凸块,所述焊料凸块与所述连接焊球电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯长电半导体(江阴)有限公司,未经中芯长电半导体(江阴)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710542858.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top