[发明专利]检测低压阱区和高压阱区混接的方法有效
| 申请号： | 201710543028.3 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN107368635B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 曹云 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F30/20;G06F30/392 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种检测低压阱区和高压阱区混接的方法，包括：获取电路版图，所述电路版图具有低压阱区和高压阱区；判断所述低压阱区中是否具有器件；当所述低压阱区内无器件时，检测所述低压阱区上的金属互连线与所述高压阱区上的金属互连线之间是否存在电性连接，若同层的金属互连线存在电性连接，则所述低压阱区与所述高压阱区混接。本发明中，当低压阱区中具有器件时，可以直接通过电路检查检测低压阱区与高压阱区是否存在混接，低压阱区中不具有器件时，通过判断金属互连线的连接将低压阱区和高压阱区之间连接错误检测出来，避免流片失效风险。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 低压 高压 阱区混接 方法 | ||
【主权项】：
一种检测低压阱区和高压阱区混接的方法，其特征在于，包括：获取电路版图，所述电路版图具有低压阱区和高压阱区；判断所述低压阱区中是否具有器件；当所述低压阱区内无器件时，检测所述低压阱区上的金属互连线与所述高压阱区上的金属互连线之间是否存在电性连接，若同层的金属互连线存在电性连接，则所述低压阱区与所述高压阱区混接。
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