[发明专利]一种实现N+单面扩散的结构及其方法在审
| 申请号： | 201710543091.7 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN107240547A | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 潘建英;沈怡东;王成森;沈广宇 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省南通市苏通科技产*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种实现N+单面扩散的结构，它包扩两片直径相同的硅单晶片和SIO2乳胶，硅单晶片的一侧设有N+扩散层，硅单晶片的另一侧设有N‑保留原始单晶层，两片相同直径的硅单晶片通过SIO2乳胶粘接。本发明还公开了一种实现N+单面扩散的方法，两片相同直径的硅单晶片通过SIO2乳胶将两片进行粘接，通过高温氧化处理后加固使两片直径相同的硅单晶片的其中一面紧密粘接在一起，通过扩散进行N+掺杂形成N+扩散层，由于两片硅单晶片的粘接面紧密粘接在一起，有效阻止了该面进行N+扩散，故该面无法形成N+扩散层，从而实现N+单面扩散，本发明的优点是通过本发方法免去了芯片制程中去除单面无效N+扩散层的全部过程，同时，由于实现了单面N+扩散，大幅提升硅单晶片在芯片制程中的利用率，从而大幅降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 单面 扩散 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种实现N+单面扩散的结构，其特征在于：它包扩两片直径相同的硅单晶片（1）和SIO2乳胶（2），所述硅单晶片（1）的一侧设有N+扩散层（4），所述硅单晶片（1）的另一侧设有N‑保留原始单晶层（3），两片相同直径的硅单晶片（1）通过SIO2乳胶（2）粘接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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