[发明专利]光伏焊带内反射系数的测定方法及测定不同焊带组件的ISC差异的方法有效
申请号: | 201710544455.3 | 申请日: | 2017-07-05 |
公开(公告)号: | CN107195564B | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 万松博;王栩生;涂修文;邢国强 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨林洁 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种光伏焊带内反射系数的测定方法及测定不同焊带组件的ISC差异的方法,涉及太阳能电池领域,该光伏焊带内反射系数的测定方法,包括以下步骤:选用n片电池片,在电池片的正面放置待测焊带,第m片电池片的正面放置m‑1条所述待测焊带;将放置好待测焊带的电池片分别用封装材料封装形成组件,测试每个组件的ISC;ISC1为第一片不放待测焊带的组件的短路电流;以电池片上放置的待测焊带的数量为横坐标,以ISC为纵坐标做离散图,经拟合后得到直线,所得直线的拟合斜率为k;待测焊带的内反射系数T=1+(k×电池片扣除主栅后的面积)/(ISC1×待测焊带宽度×电池片长度)。 | ||
搜索关键词: | 光伏焊带内 反射 系数 测定 方法 不同 组件 isc 差异 | ||
【主权项】:
1.一种光伏焊带内反射系数的测定方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤a):选用n片电池片,并用导电材料对所述n片电池片分别做正极汇流和负极汇流,其中,n≥2;步骤b):在步骤a)得到的电池片的正面放置待测焊带,第m片电池片的正面放置m‑1根待测焊带;所述待测焊带与所述电池片的主栅平行;所述待测焊带的长度大于等于所述电池片的长度;步骤c):将放置好待测焊带的电池片分别用封装材料封装成组件,测试每个组件的短路电流ISC;步骤d):以电池片上放置的待测焊带的根数为横坐标,以ISC为纵坐标做离散图,经拟合后得到直线,所得直线的拟合斜率为k;待测焊带的内反射系数T=1+(k×电池片扣除主栅后的面积)/(ISC1×待测焊带宽度×电池片长度),其中,ISC1为第一片不放待测焊带的组件的短路电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造