[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710547154.6 | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN108122979A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 杨育佳;江宏礼;许志成;王菘豊;陈奕升;徐志安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体器件包括场效应晶体管(FET)。FET包括第一沟道、第一源极和第一漏极；第二沟道、第二源极和第二漏极；以及设置在第一沟道和第二沟道上方的栅极结构。该栅极结构包括栅极介电层和栅电极层。第一源极包括第一晶体半导体层并且第二源极包括第二晶体半导体层。第一源极和第二源极通过由一种或多种IV族元素和一种或多种过渡金属元素制成的合金层连接。第一晶体半导体层未与第二晶体半导体层直接接触。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 源极 晶体半导体层 沟道 半导体器件 栅极结构 漏极 场效应晶体管 过渡金属元素 栅极介电层 栅电极层 合金层 制造 | ||
【主权项】：
一种包括场效应晶体管(FET)的半导体器件，所述场效应晶体管包括：第一沟道、第一源极和第一漏极；第二沟道、第二源极和第二漏极；以及栅极结构，设置在所述第一沟道和所述第二沟道上方，所述栅极结构包括栅极介电层和栅电极层，其中：所述第一源极包括第一晶体半导体层并且所述第二源极包括第二晶体半导体层，所述第一源极和所述第二源极通过由一种或多种IV族元素和一种或多种过渡金属元素制成的合金层连接，和所述第一晶体半导体层未与所述第二晶体半导体层直接接触。
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