[发明专利]一种GaAs半导体表面欧姆接触电极及其制作方法有效
| 申请号： | 201710547365.X | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN107369705B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 张景文;陈旭东;李忠乐;翟文博;卜忍安;王宏兴;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaAs半导体表面欧姆接触电极及其制作方法，首先通过在GaAs半导体表面做接触电极，然后再在石英衬底上依次生成Cu层和Au层，将石英衬底上的Au层与GaAs上接触电极的接触层通过退火粘合封装在一起，然后抛光去除石英衬底，即可得到GaAs欧姆接触电极，通过在石英衬底上以铜层为过渡层，进行金层的制作，克服了金层与石英衬底难键和的问题，完成加厚金层的单独支座，克服了金层通过磁控溅射、真空蒸发方法很难制备出易于键合的微米级厚度的金层的问题，因此将加厚金层单独用电镀的方法来制作，通过本方法制作的GaAs接触电极使得器件可以非常容易地键合到电路中测试使用，器件可以工作在更高的温度，得到更好的器件性能表现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 半导体 表面 欧姆 接触 电极 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaAs半导体表面欧姆接触电极的制作方法，其特征在于，具体包括以下步骤：首先在GaAs半导体表面做接触电极，在石英衬底上依次生成Cu层和Au层，将石英衬底上的Au层与GaAs上接触电极的接触层通过退火粘合封装在一起，然后抛光去除石英衬底，即可得到GaAs欧姆接触电极。
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