[发明专利]一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法有效
| 申请号： | 201710547437.0 | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN107369617B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 张景文;谢倩;陈旭东;王明海;卜忍安;王宏兴;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 61200 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法，首先对SiC衬底表面进行抛光处理，然后在SiC衬底表面进行光刻得到电极图像层，然后采用磁控溅射在SiC衬底电极图像层表面上依次沉积Ti层和W层，在W层上利用真空蒸发镀膜依次蒸镀NiCr层和Au层，然后通过退火处理得到欧姆接触电极，采用多层难熔金属Ti/W/NiCr/Au来制作光导开关的多层难熔金属电极，采用的金属熔点高，能够耐受更高的工作温度，金属电极退火后会和SiC基底形成Ti | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 高温 欧姆 接触 电极 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC高温欧姆接触电极的制作方法，其特征在于，具体包括以下步骤：/n首先对SiC衬底表面进行抛光处理，去除SiC衬底表面的氧化物，首先将SiC衬底依次通过丙酮、酒精、去离子水各超声清洗5-10min，然后用浓H
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
