[发明专利]一种控制太白贝母组织培养内生菌污染的方法

摘要

本发明涉及生物技术领域，具体涉及一种控制太白贝母组织培养内生菌污染的方法。本发明控制方法包括：S1、外植体选择及预处理：选择太白贝母新鲜鳞茎，在洗衣粉溶液中浸泡，擦拭，冲洗，滤纸吸干，备用；S2、外植体消毒处理：预处理后的外植体浸没在氯化汞溶液中，搅拌，于超净工作台，漂洗，干燥，备用；S3、小鳞茎诱导分化：将S2处理获得的外植体鳞片掰开，纵向切成2～4mm宽小块，接种于添加了青霉素和多菌灵的培养基上培养；S4、继代培养：每20天继代培养一次；S5小鳞茎增殖培养：将S4得到的健康小鳞茎，转移至不添加任何灭菌剂的培养基上培养。本发明控制太白贝母组织培养内生菌污染的方法，内生菌污染控制率可达到96.5%。

主权项

1.控制太白贝母组织培养内生菌污染的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、外植体选择及预处理：以3～4月挖取的太白贝母新鲜鳞茎为外植体，去掉外层腐烂、褐化的鳞片，切除根系；洗净鳞茎表面，洗衣粉溶液中浸泡4～6min，擦拭鳞茎表面，流水冲洗0.8～1.2h，再用去离子水冲洗4～6次，滤纸吸干，备用；S2、外植体消毒处理：将S1处理后的外植体，浸没在浓度为0.08～0.12%的氯化汞溶液中，搅拌，于超净工作台中，漂洗，干燥，备用；S3、小鳞茎诱导分化：将S2得到的无菌外植体，用灭过菌的镊子将其鳞片掰开，再用无菌刀片纵切鳞片得2～4mm宽的条状小块，将小块接种于培养基上培养；S4、继代培养：将S3步骤的培养的小鳞茎在相同培养基上，每20天继代培养一次，共继代培养3次；S5、小鳞茎增殖培养：将S4得到的生长旺盛的健康小鳞茎，转移至不添加任何灭菌剂的培养基上增殖培养85～95d；所述S3步骤中培养温度为18～22℃，相对湿度为75～85%，光照强度为1000～1500Lx，光照时间为11～13h；S3、S4步骤中所述培养基的pH值为5.6～5.8；是由MS基本培养基+3.0～5.0mg/L的6‑苄氨基腺嘌呤+0.8～1.2mg/L的α‑萘乙酸+4.0～6.0mg/L的青霉素+0.8～1.2g/L的多菌灵+3%蔗糖+9g/L琼脂组成。