[发明专利]多重图形及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201710548172.6 | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN109216165B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 王士京 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多重图形及半导体器件的制造方法，通过一次光刻刻蚀工艺刻蚀硬掩膜层形成第一图形，然后通过原位自生工艺和选择性去除工艺，可以在所述第一图形的基础上形成多重图形，由此省略了现有的双重曝光技术中的第二次光刻刻蚀工艺，从而可以将第二次光刻刻蚀工艺的成本节约下来，并避免第二次光刻刻蚀工艺造成的图形缺陷以及返工问题，最终制造出更小线宽的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 多重 图形 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多重图形的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面上依次形成硬掩膜层以及图案化光刻胶层；以所述图案化光刻胶层为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层，以形成第一图形；采用原位自生工艺在所述第一图形的侧壁上形成预定厚度的侧墙；选择性去除所述第一图形，以形成多重图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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