[发明专利]集成电路器件及制造这样的器件的方法

摘要

本发明提供一种集成电路器件和制造集成电路器件的方法，该集成电路器件包括在有源区中的彼此间隔开的多个沟道区；多个源/漏区；在有源区上的绝缘结构，该绝缘结构限定多个栅极空间；在栅极空间中的第一个中的第一栅极堆叠结构，该第一栅极堆叠结构包括第一含金属的功函数层；以及隔离堆叠结构，在与栅极空间中的与栅极空间中的第一个相邻的第二个中，该隔离堆叠结构具有与第一栅极堆叠结构不同的堆叠结构，并被配置为电隔离有源区的一部分。

主权项

一种集成电路器件，包括：基板；鳍型有源区，在所述基板上在第一方向上延伸；在所述鳍型有源区上的多个导电堆叠结构，沿着与所述第一方向相交的第二方向彼此平行地延伸；以及在所述鳍型有源区上的多个源/漏区，其中所述多个导电堆叠结构包括：栅极堆叠结构，包括第一导电金属氮化物层并具有第一有效功函数；和隔离堆叠结构，与所述栅极堆叠结构相邻，包括第二导电金属氮化物层并具有不同于所述第一有效功函数的第二有效功函数，所述第二导电金属氮化物层包括与所述第一导电金属氮化物层中包括的金属氮化物相同的金属氮化物，并具有与所述第一导电金属氮化物层不同的厚度。