[发明专利]一种GaN HEMT器件热阻和热容的测量方法有效
| 申请号： | 201710552054.2 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107192935B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 陈勇波 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 51223 成都华风专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN HEMT器件热阻和热容的测量方法，包括以下步骤：S1：在某工作偏置点下，测量GaN HEMT器件的连续波S参数，分别提取低频和高频时的漏极电导和漏极电容；S2：在步骤S1相同偏置点，采用窄脉冲偏置，测量GaN HEMT器件的窄脉冲S参数，分别提取低频和高频时的漏极电导和漏极电容；S3：在S1相同的偏置点，得到脉冲漏极电流I | ||
| 搜索关键词： | 一种 ganhemt 器件 热容 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN HEMT器件热阻和热容的测量方法，其特征在于：包括以下步骤：/nS1：在某工作偏置点下，测量GaN HEMT器件的连续波S参数，分别提取低频和高频时的漏极电导G
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