[发明专利]一种SiC晶圆的深孔清洗方法在审
| 申请号： | 201710552614.4 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107180748A | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 王珺楠 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种SiC晶圆的深孔清洗方法，包括以下步骤S1、采用硝酸溶液对刻蚀通孔后的SiC晶圆进行第一次清洗；S2、采用另一份硝酸溶液对SiC晶圆进行第二次清洗；S3、采用纯水对SiC晶圆进行第三次清洗；S4、对SiC晶圆进行干燥。本发明通过超声波震动，增加硝酸在深孔中的流动速度和交换比，使孔能够浸没在硝酸溶液中，同时超声波震动会让聚合物与SiC晶圆背孔侧壁产生裂缝；通过加热清洗剂，提高硝酸溶液的氧化性，从而能够完全清洗深孔中的聚合物，保证半导体器件的成品性能、成品率及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC晶圆的深孔清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、采用硝酸溶液对刻蚀通孔后的SiC晶圆进行第一次清洗；S2、采用另一份硝酸溶液对SiC晶圆进行第二次清洗；S3、采用纯水对SiC晶圆进行第三次清洗；S4、对SiC晶圆进行干燥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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