[发明专利]薄膜、其形成方法及其形成的栅极导电层

摘要

本发明提供一种薄膜、其形成方法及其形成的栅极导电层，将薄膜的形成分为m层薄膜子层与n层催化膜的交替形成，且所述催化膜是通过对所述薄膜子层进行催化工艺形成，最终形成的所有薄膜子层和所有催化膜的总厚度达到预定的薄膜厚度，由于每次形成薄膜子层之后均进行催化工艺，使得之前形成的薄膜子层中的晶粒生长中断，能够有效的控制晶粒尺寸及薄膜表面的粗糙度，避免晶粒的尺寸过大，提高了薄膜的表面平整度。

主权项

一种薄膜的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底；及在所述衬底上形成m层薄膜子层以及n层催化膜，所述薄膜子层和所述催化膜交替形成，且所述催化膜是通过对所述薄膜子层进行催化工艺形成，所述薄膜子层的厚度小于所述薄膜的厚度的1/4，所述催化膜的厚度小于所述薄膜子层的厚度的1/10，且所述催化膜的厚度介于0.1纳米～2.0纳米，在所述薄膜子层和所述催化膜形成之后，所述催化膜用于阻止所述薄膜子层中晶粒的生长，所述薄膜子层中晶粒尺寸为0.5nm～3nm，其中，n为大于等于1的正整数，m为选自于n与n+1其中之一的正整数；对所述薄膜进行离子注入，使所述薄膜子层为掺质型薄膜子层。