[发明专利]干法蚀刻设备及蚀刻方法在审
| 申请号： | 201710556671.X | 申请日： | 2017-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN107301967A | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 方亮;肖文欢 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明所提供的干法蚀刻设备包括能够彼此隔离的至少一个主蚀刻制程腔和至少一个后处理制程腔，所述主蚀刻制程腔使用含氯的蚀刻介质对待加工产品进行蚀刻，所述后处理制程腔使用含氟的置换介质将经蚀刻后所述待加工产品上残留的氯离子置换成氟离子。本发明所提供的干法蚀刻方法将待加工产品传送到主蚀刻制程腔内；向所述主蚀刻制程腔内通入含氯的蚀刻介质，以对所述待加工产品进行蚀刻；将蚀刻后的待加工产品传送到后处理制程腔；向所述后处理制程腔内通入含氟的置换介质，以将进行所述待加工产品残留的氯离子置换成氟离子本发明解决了现有技术中蚀刻残留对主蚀刻制程的影响，大大提升产品良率，提高生产效率，并延长了设备保养周期。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种干法蚀刻设备，其特征在于，包括能够彼此隔离的至少一个主蚀刻制程腔和至少一个后处理制程腔，所述主蚀刻制程腔使用含氯的蚀刻介质对待加工产品进行蚀刻，所述后处理制程腔使用含氟的置换介质将经蚀刻后所述待加工产品上残留的氯离子置换成氟离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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