[发明专利]掩膜有效
| 申请号： | 201710556840.X | 申请日： | 2017-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN107290928B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 江南辉;陈瑞祥;赖俊志;邓博文;陈信宏 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人： | 梁挥;孟超 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种掩膜，包含第一岛状物以及第二岛状物。第二岛状物连接第一岛状物。第二岛状物与第一岛状物在行列方向上都交错排列。每两个邻近的第一岛状物与对应的两个第二岛状物之间夹有通孔。第一岛状物的顶面面积大于第二岛状物的顶面面积。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜 | ||
【主权项】：
一种掩膜，其特征在于，包含：多个第一岛状物；以及多个第二岛状物，连接该多个第一岛状物且与该多个第一岛状物在行列方向上都交错排列，每两个邻近的该第一岛状物与对应的两个该第二岛状物之间夹有一通孔，其中该些第一岛状物的顶面面积大于该些第二岛状物的顶面面积。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
