[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201710558581.4 申请日: 2017-07-11
公开(公告)号: CN107612541A 公开(公告)日: 2018-01-19
发明(设计)人: 久本大 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H03K19/0944 分类号: H03K19/0944;H01L29/78;H01L27/11
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 张小稳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开涉及半导体装置。一种半导体装置包括驱动器电路,具有多个FinFET;存储器单元,具有多个FinFET并通过字线中的每一个被提供来自驱动器电路的第一输出信号;第一电源配线,被提供有第一电源电位;第二电源配线,被提供有第二电源电位;和地电位设置电路,其耦合到第一电源配线、第二电源配线和驱动器电路,并且选择第一电源电位或第二电源电位以提供给驱动器电路作为工作电位。包括在驱动器电路中的FinFET的N型FinFET被提供有由地电位设置电路选择的第一电源电位或第二电源电位。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,包括:第一电路,具有多个鳍型场效应晶体管FinFET;第二电路,具有多个FinFET并通过第一信号配线被提供来自所述第一电路的第一输出信号;第一电源配线,被提供第一电源电位;第二电源配线,被提供第二电源电位,所述第二电源电位具有绝对值与所述第一电源电位不同的电位;以及第一选择电路,耦合到所述第一电源配线、所述第二电源配线和所述第一电路,并且选择所述第一电源电位或所述第二电源电位以提供给所述第一电路作为工作电位,其中包括在所述第一电路中的FinFET中的第一FinFET被提供由所述第一选择电路选择的所述第一电源电位或所述第二电源电位。
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