[发明专利]表面修饰的量子点及其制备方法、应用与QLED器件在审
申请号: | 201710560424.7 | 申请日: | 2017-07-11 |
公开(公告)号: | CN109233801A | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 杨一行;杨成玉;丘洁龙;聂志文 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | C09K11/02 | 分类号: | C09K11/02;C09K11/06;C09K11/88;H01L51/50;H01L51/56;C07C51/41;C07C57/12;C07C209/00;C07C211/21;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开表面修饰的量子点及其制备方法、应用与QLED器件,所述方法包括如下步骤:制备一量子点溶液;制备一含离子的有机配体前驱物;将含离子的有机配体前驱物加入量子点溶液中对量子点进行表面修饰,制备得到表面修饰的量子点。本发明通过在量子点溶液中加入含有离子的有机配体前驱物,利用这些含有离子的有机配体前驱物与量子点表面的悬挂键结合,从而达到尽可能消除量子点表面暴露悬挂键的目的。本发明量子点表面暴露的悬挂键的减少,可以提升量子点自身的发光效率。 | ||
搜索关键词: | 量子点 制备 表面修饰 有机配体 前驱物 量子点表面 量子点溶液 离子 悬挂键 悬挂键结合 发光效率 暴露 应用 | ||
【主权项】:
1.一种表面修饰的量子点的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:制备一量子点溶液;制备一含离子的有机配体前驱物;将含离子的有机配体前驱物加入量子点溶液中对量子点进行表面修饰,制备得到表面修饰的量子点。
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