[发明专利]核壳结构量子点及其制备方法及偏振薄膜在审
| 申请号： | 201710560645.4 | 申请日： | 2017-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN109233802A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 聂志文;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/62;G02B5/30 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了核壳结构量子点及其制备方法及偏振薄膜。所述核壳结构量子点制备方法包括：制备含I‑III‑VI阴阳离子单体前驱物和第一配体的第一混合液；制备含II阳离子单体前驱物和第二配体的第二混合液；制备含VI族阴离子单体前驱物的第三混合液；向第一混合液中注入所述第二混合液和/或所述第三混合液，制备对应的量子点的核溶液；所述量子点的核溶液包括I‑II‑III‑VI族量子点以及I‑III‑VI族量子点；向所述量子点注入所述第二混合液和所述第三混合液，进行所述量子点的外壳层生长，制备核壳结构量子点。本发明无镉核壳结构纳米棒量子点，具有较大的光能吸收截面，线偏振吸收和偏振发射，并具有抑制俄歇非辐射和较高的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 混合液 制备 核壳结构 前驱物 偏振薄膜 阳离子单体 阴离子单体 第二配体 第一配体 发光效率 光能吸收 阴阳离子 制备核壳 非辐射 纳米棒 外壳层 线偏振 偏振 无镉 发射 生长 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种核壳结构量子点的制备方法，其特征在于，包括：将I族阳离子单体、III族阳离子单体、VI族阴离子单体、第一配体以及第一非配位溶剂混合，并在第一预定温度下进行真空除气处理，然后在惰性气氛下升温至第二预定温度，制备含I‑III‑VI阴阳离子单体前驱物和第一配体的第一混合液；将II族阳离子单体、第二配体以及第二非配位溶剂混合，并在第一预定温度下进行真空除气处理，然后在惰性气氛下升温至第二预定温度，制备含II阳离子单体前驱物和第二配体的第二混合液；将VI族阴离子单体以及第三配体混合，并在第一预定温度下进行真空除气处理，制备含VI族阴离子单体前驱物的第三混合液；在第三预定温度下，向第一混合液中注入所述第二混合液和/或所述第三混合液，并在所述第三预定温度下进行反应，制备得到量子点的核溶液；在第四预定温度下，向所述量子点的核溶液注入所述第二混合液和所述第三混合液，进行外壳层的生长，经分离、干燥，制备得到所述核壳结构量子点。
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