[发明专利]一种熔断器及其制造方法有效
| 申请号： | 201710561178.7 | 申请日： | 2017-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN107256855B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 乔夫龙;张强;王一;许鹏凯 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅熔断器及其制造方法，该多晶硅熔断器包括多晶硅熔断体和两个引出端口，该多晶硅熔断体包括一衬底、第一绝缘层和一多晶硅熔体，衬底上形成有一凹槽，第一绝缘层覆盖在具有凹槽一侧的衬底表面上，多晶硅熔体形成于第一绝缘层上且位于所述凹槽内呈埋入式形态。本发明将多晶硅熔体以埋入的方式放在衬底的凹槽内，使熔体可以和附近其它器件保持足够的安全距离，有效消除传统熔丝熔断后形成颗粒影响旁边器件的可能性，且能够根据实际需要调节多晶硅熔体的关键尺寸，生成工艺对光刻和干刻的要求不高，使用一般的蚀刻机即可实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 熔断器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅熔断器，包括多晶硅熔断体和两个引出端口；其特征在于，所述多晶硅熔断体包括一衬底、第一绝缘层和一多晶硅熔体，所述衬底上形成有一凹槽，所述第一绝缘层覆盖在具有凹槽一侧的衬底表面上，所述多晶硅熔体仅形成于凹槽底部的第一绝缘层上且位于所述凹槽内呈埋入式形态；所述多晶硅熔体宽度小于多晶硅熔体长度；其中，所述多晶硅熔体电流流向方向上的间距为多晶硅熔体长度，所述多晶硅熔体顶部与槽底上第一绝缘层的间距为多晶硅熔体高度，与多晶硅熔体长度和多晶硅熔体高度均垂直的间距为多晶硅熔体宽度，通过调节多晶硅熔体宽度来改变多晶硅熔体阻值，控制多晶硅熔体的熔断时间。
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