[发明专利]用于MEMS器件的化学机械抛光工艺

摘要

本发明公开了一种用于MEMS器件的化学机械抛光工艺，所述化学机械抛光工艺包括：S1：提供一待抛光MEMS器件晶圆；S2：固定待抛光MEMS器件晶圆；S3：对所述MEMS器件晶圆进行粗抛光；S4：对所述MEMS器件晶圆进行水抛光；S5：循环步骤S3、S4达n次或达到预设时间t；S6：对所述对MEMS器件晶圆进行精抛光；S7：冲洗抛光盘及晶圆，完成抛光。根据本发明实施例的用于MEMS器件的化学机械抛光工艺步骤简单、可以减少抛光过程中的蝶形坑或粗糙度大等问题、保证器件的可靠性。

主权项

1.一种用于MEMS器件的化学机械抛光工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一待抛光MEMS器件晶圆，所述MEMS器件晶圆包括硅衬底以及淀积在所述硅衬底上的磷硅玻璃；S2：清洁抛光头、抛光盘，将抛光垫安装于所述抛光头，并将所述待抛光MEMS器件晶圆固定在所述抛光盘上；S3：对所述MEMS器件晶圆进行粗抛光，其中，抛光压力p1为2.5psi‑3.5psi，抛光头的转速v1为90rpm‑110rpm,抛光盘的转速v1’为90rpm‑110rpm，抛光液流量为200ml/min‑300ml/min，抛光时间t1为110s‑130s；S4：对所述MEMS器件晶圆进行高压水抛光，其中，抛光压力p2为0.8psi‑1.2psi，抛光头的转速v2为90rpm‑110rpm,抛光盘的转速v2’为90rpm‑110rpm，抛光时间t2为3s‑10s；S5：循环步骤S3、S4达n次或达到预设时间t；S6：对所述MEMS器件晶圆进行精抛光，其中，抛光压力p3为1.25psi‑1.75psi，抛光头的转速v3为65rpm‑75rpm和所述抛光盘的转速v3’为65rpm‑75rpm，抛光时间t3为15s‑30s；S7：冲洗抛光盘及晶圆，完成抛光。