[发明专利]一种发光二极管外延片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。制作方法包括：提供一图形化蓝宝石衬底；在图形化蓝宝石衬底设有图形的表面上形成氮化铝缓冲层，氮化铝缓冲层包括位于图形上的第一部分、以及位于图形之间的第二部分；在氮化铝缓冲层上涂覆光刻胶，位于第一部分上的光刻胶的厚度小于位于第二部分上的光刻胶的厚度；对光刻胶进行干法刻蚀，直到去除位于第一部分的顶部的光刻胶；去除第一部分的顶部；铺设二氧化硅材料；去除剩余的光刻胶，形成二氧化硅层状结构；依次生长N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层。本发明可以避免氮化铝缓冲层造成PSS顶端的外延缺陷，也可以利用氮化铝缓冲层缓解晶格失配。

主权项

1.一种发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一图形化蓝宝石衬底，所述图形化蓝宝石衬底的一个表面设有周期排列的图形；在所述图形化蓝宝石衬底设有所述图形的表面上形成氮化铝缓冲层，所述氮化铝缓冲层包括位于所述图形上的第一部分、以及位于所述图形之间的第二部分；在所述氮化铝缓冲层上涂覆光刻胶，位于所述第一部分上的光刻胶的厚度小于位于所述第二部分上的光刻胶的厚度；对所述光刻胶进行干法刻蚀，直到去除位于所述第一部分的顶部的光刻胶；去除所述第一部分的顶部；在所述图形的顶部和剩余的所述光刻胶上铺设二氧化硅材料；去除剩余的所述光刻胶、以及位于剩余的所述光刻胶上的二氧化硅材料，位于所述图形的顶部的二氧化硅材料形成二氧化硅层状结构；在所述二氧化硅层状结构和剩余的所述氮化铝缓冲层上依次生长N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层。