[发明专利]光致抗蚀剂去除装置及方法有效
| 申请号： | 201710562482.3 | 申请日： | 2017-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN108695191B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 赵元俊;廖添文;陈韦全;张益彰;曾钰明 | 申请（专利权）人： | 采钰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种光致抗蚀剂去除装置，用以去除晶圆的至少一对准标记上的光致抗蚀剂层。装置包括载台、溶剂分配器及抽吸单元。载台用以支撑晶圆，其中于晶圆的周边区形成对准标记。溶剂分配器用以喷洒溶剂至晶圆的对准标记上的光致抗蚀剂层上以产生已溶解光致抗蚀剂层。抽吸单元用以自晶圆上以排出的方式去除已溶解光致抗蚀剂层和溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂 去除 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光致抗蚀剂去除装置，用以去除一晶圆的至少一对准标记上的一光致抗蚀剂层，包括：一载台，用以支撑该晶圆，其中该对准标记形成于该晶圆的一周边区；一溶剂分配器，用以在该晶圆的该对准标记上的该光致抗蚀剂层上喷洒一溶剂，以产生一已溶解光致抗蚀剂层；以及一抽吸单元，用以自该晶圆去除该已溶解光致抗蚀剂层及该溶剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
