[发明专利]一种转接板制造方法在审
| 申请号： | 201710563645.X | 申请日： | 2017-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN107293484A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王磊 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种转接板制造方法。通过该方法，在省去TSV背面露头腐蚀工艺步骤的同时保证了TSV刻蚀深度的一致性。此外，本发明还涉及一种通过该方法制造的转接板。该转接板具有降低的成本以及提高的器件精度，这是因为其制造工艺中省去了背面露头工艺并且降低了传统工艺带来的TSV结构的总厚度差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 转接 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造转接板(100)的方法，包括下列步骤：提供第一载体(101a)；在第一载体(101a)上布置衬底(103)；对衬底(103)进行减薄；将衬底(103)结构化以形成硅通孔TSV结构(104)，其中TSV结构(104)的深度与经减薄的衬底(103)的厚度一致；在衬底(103)上涂敷绝缘层(105)和阻挡层(106)；在衬底(103)上涂敷导电层(107)，使得导电层(107)充满TSV结构(104)；除去TSV结构(104)之外的导电层(107)和阻挡层(106)；在衬底(103)上形成互连线路层和凸点(109)；将衬底(103)以具有TSV结构(104)的面朝下放置在第二载体(101b)上；除去第一载体(101a)；除去TSV结构(104)的底面上的绝缘层(105)并且在衬底(103)上布置布线层(110)；在衬底(103)上形成互连的凸点(109)；以及除去第二载体(101b)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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