[发明专利]一种沟槽型功率器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710564633.9 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107316816B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 罗灿 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510000 广东省广州市中新广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽型功率器件及其制作方法。所述沟槽型功率器件的制作方法包括：在第一N型外延层表面制作氧化层，并在所述氧化层形成注入窗口；利用所述注入窗口进行P型注入，并在所述第一N型外延层形成P型埋层；在所述第一N型外延层表面形成第二N型外延层，其中所述第二N型外延层覆盖所述P型埋层；对所述第二N型外延层进行刻蚀，并在所述P型埋层的内侧和外侧分别形成主结沟槽和场限环沟槽；对所述沟槽进行P型注入，并在所述沟槽侧壁形成P型注入区域，其中所述主结沟槽和所述场限环沟槽的侧壁的P型注入区域与所述第二N型外延层分别形成所述沟槽型功率器件的主结和场限环。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 功率 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型功率器件的制作方法，其特征在于，包括：在第一N型外延层表面制作氧化层，并在所述氧化层形成注入窗口；利用所述注入窗口进行P型注入，并在所述第一N型外延层形成P型埋层；在所述第一N型外延层表面形成第二N型外延层，其中所述第二N型外延层覆盖所述P型埋层；对所述第二N型外延层进行刻蚀，并在所述P型埋层的内侧和外侧分别形成主结沟槽和场限环沟槽；对所述沟槽进行P型注入，并在所述沟槽侧壁形成P型注入区域，其中所述主结沟槽和所述场限环沟槽的侧壁的P型注入区域与所述第二N型外延层分别形成所述沟槽型功率器件的主结和场限环。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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