[发明专利]一种离子注入层图形套准偏差的检测方法有效
| 申请号： | 201710564688.X | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107316823B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 张婉婷 | 申请（专利权）人： | 南京溧水高新创业投资管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种离子注入层图形套准偏差的检测方法。所述离子注入层图形套准偏差的检测方法，包括：在所述氧化层表面形成具有多对多晶硅条的多晶硅层；在所述多对多晶硅条的基础上分别制作离子注入层光刻图形；在所述多晶硅层进行离子注入处理；通过对所述多晶硅条进行电阻测试来检测所述离子注入层光刻图形的套准偏差情况。本发明提供的方法可以通过提供离子注入层电性测试结构，确保在产品电性测试测量阶段可以通过测量离子注入层的电性参数来反映离子注入层光刻图形的套准偏差程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 图形 偏差 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入层图形套准偏差的检测方法，其特征在于，包括：在硅衬底形成氧化层；在所述氧化层表面形成具有多对多晶硅条的多晶硅层；在所述多对多晶硅条的基础上分别制作离子注入层光刻图形；在所述多晶硅层进行离子注入处理；通过对所述多晶硅条进行电阻测试来检测所述离子注入层光刻图形的套准偏差程度。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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