[发明专利]一种基于石墨烯/金属纳米带结构的近红外吸收体在审
| 申请号： | 201710564787.8 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107436192A | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 张晓霞;陈浩;姬月华;余力;皮峣迪 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于石墨烯/金属纳米带结构的近红外吸收体，属于电磁波完美吸收体。当入射波照射到金属纳米带阵列时，入射波在金属纳米带激发磁共振效应，从而使入射波的能量在金属纳米带缝隙处显著增强，在金属纳米带上下各加入一层石墨烯之后，增强的电磁波能量与上下石墨烯层作用并被吸收，整体结构达到对共振波长电磁波能量的近完美吸收。本发明具有五层结构，从下到上依次包括(1)基底、(2)绝缘层(3)第一石墨烯层、(4)金属纳米带、(5)第二石墨烯层，通过调整结构几何参数可以达到对特定波长的近完美吸收。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 金属 纳米 结构 红外 吸收体 | ||
【主权项】：
一种基于石墨烯/金属纳米带结构的近红外吸收体，基于磁共振原理增强石墨烯对近红外波能量的吸收，通过设计不同的绝缘层厚度、金属纳米带尺寸，可实现对特定波长电磁波的近完美吸收，特征在于它包括基底、石墨烯、金属纳米带阵列，基底包括(1)银基底、(2)绝缘层，石墨烯层包括(Ⅰ)第一石墨烯层、(Ⅱ)第二石墨烯层，其中第一石墨烯层直接位于绝缘层之上、金属纳米带之下，第二石墨烯层设置在金属纳米带之上，即位于结构的上表面。
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