[发明专利]一种光学邻近修正方法

摘要

本发明提供一种光学邻近修正方法，包括：提供经过至少一次光学邻近修正后的切割层图形；对切割层图形进行光学模拟，以获得模拟轮廓，其中，模拟轮廓包括关键边缘和非关键边缘；将模拟轮廓和目标轮廓进行比较，分别获得关键边缘的边缘放置误差和非关键边缘的边缘放置误差；计算成本函数，成本函数为关键边缘的边缘放置误差的加权平方和，以及非关键边缘的边缘放置误差的加权平方和之和，关键边缘的边缘放置误差的权重大于非关键边缘的边缘放置误差的权重；判断成本函数是否超出标准范围，若超出则继续对切割层图形进行光学邻近修正，直到成本函数在标准范围内，若在标准范围内则光学邻近修正终止。

主权项

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供经过至少一次光学邻近修正后的切割层图形，所述切割层图形位于掩模版上，所述切割层图形用于转印至半导体衬底上以形成掩膜图形，进而以所述掩膜图形为掩模对半导体器件中的待切割结构进行切割；对所述切割层图形进行光学模拟，以获得模拟轮廓，其中，所述模拟轮廓包括关键边缘和非关键边缘，所述掩膜图形的轮廓中与所述待切割结构相交的边缘对应所述模拟轮廓的所述关键边缘，与所述待切割结构不相交的边缘对应所述模拟轮廓的所述非关键边缘；将所述模拟轮廓和目标轮廓进行比较，分别获得所述关键边缘的边缘放置误差和所述非关键边缘的边缘放置误差；计算成本函数，所述成本函数为所述关键边缘的边缘放置误差的加权平方和，以及所述非关键边缘的边缘放置误差的加权平方和之和，其中，所述关键边缘的边缘放置误差的权重大于所述非关键边缘的边缘放置误差的权重；判断所述成本函数是否超出标准范围，若超出则继续对所述切割层图形进行光学邻近修正，直到所述成本函数在标准范围内，若在标准范围内则光学邻近修正终止。