[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件包括非易失性存储器和逻辑电路。所述非易失性存储器包括堆叠结构，该堆叠结构包括自衬底顺序堆叠的第一绝缘层、浮置栅极、第二绝缘层、控制栅极和第三绝缘层；擦除栅极线；以及字线。所述逻辑电路包括场效应晶体管，该场效应晶体管包括栅电极。所述字线包括突起，并且所述突起自所述衬底的高度高于所述擦除栅极线自所述衬底的高度。所述字线和所述栅电极由多晶硅形成。本发明还提供了半导体器件的制造方法。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成非易失性存储器的第一堆叠结构和第二堆叠结构；在所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构上方形成导电材料层；在所述导电材料层上方形成平坦化层；在所述平坦化层上方形成掩模图案；通过使用所述掩模图案作为蚀刻掩模图案化所述平坦化层；以及图案化所述导电材料层，从而形成介于所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构之间的擦除栅极线并且形成第一字线和第二字线，使得顺序布置所述第一字线、所述第一堆叠结构、所述擦除栅极线、所述第二堆叠结构和所述第二字线。