[发明专利]一种晶圆级封装结构及其封装方法在审
| 申请号： | 201710567272.3 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN109256340A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 付俊;陈福成;施林波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆级封装结构及其封装方法，所述方法包括:提供第一晶圆，在所述第一晶圆的表面上形成气体释放材料层；提供第二晶圆，在所述第二晶圆的正面上形成有芯片；将所述第一晶圆的所述表面与所述第二晶圆的正面键合，并在所述第一晶圆和第二晶圆之间形成空腔，所述气体释放材料层和所述芯片均位于所述空腔内；使所述气体释放材料层释放气体，以调节所述空腔内与外界的压力差；减薄所述第二晶圆的背面。根据本发明提供的晶圆级封装方法，当第一晶圆和第二晶圆完成键合后，每颗芯片的周围会形成一个密封的空腔，通过形成气体释放材料层，并使之向空腔中释放气体，调节空腔内与外界的压力差，从而避免晶圆破裂。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 空腔 气体释放材料 封装结构 压力差 芯片 键合 种晶 封装 晶圆级封装 释放 减薄 背面 密封 破裂 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一晶圆，在所述第一晶圆的表面上形成气体释放材料层；提供第二晶圆，在所述第二晶圆的正面上形成有芯片；将所述第一晶圆的所述表面与所述第二晶圆的正面键合，并在所述第一晶圆和第二晶圆之间形成空腔，所述气体释放材料层和所述芯片均位于所述空腔内；使所述气体释放材料层释放气体，以调节所述空腔内与外界的压力差；减薄所述第二晶圆的背面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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