[发明专利]一种低气压大面积、高密度等离子体产生装置及产生方法在审
| 申请号： | 201710569131.5 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN107426908A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 丁洪斌;王志伟;高亮;冯春雷;王奇 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所有限公司21208 | 代理人： | 裴毓英 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低气压大面积、高密度等离子体产生装置及产生方法。等离子体产生装置包括真空系统、等离子体发生系统和基座；真空系统包括真空腔室、真空泵、真空蝶阀和真空规；等离子体发生系统包括上介质板、下介质板、低频交流电源、高频射频电源、上电极和下电极，上介质板嵌设在下介质板背离基座的一侧，上介质板与下介质板间包覆有下电极，上介质板背离下电极、且与下电极相对应处设置有上电极，上电极与上介质板之间设置有绝缘材料；低频交流电源与下电极连接，高频射频电源与下电极连接，上电极接地处理。该装置结构简单，基于介质阻挡放电技术与双频容性耦合技术，可在较低气压下，实现大面积、高密度等离子体放电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 气压 大面积 高密度 等离子体 产生 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种低气压大面积、高密度等离子体产生装置，其特征在于，包括真空系统、等离子体发生系统和基座；所述真空系统包括真空腔室、真空泵、真空蝶阀和真空规，所述真空腔室与真空泵通过真空蝶阀连接，真空规置于真空腔室外侧的侧壁上；所述基座位于真空腔室内侧的底部；所述等离子体发生系统包括上介质板、下介质板、低频交流电源、高频射频电源、上电极和下电极，所述下介质板置于基座上，所述上介质板嵌设在下介质板背离基座的一侧，所述上介质板与下介质板间包覆有下电极，所述上介质板背离下电极、且与下电极相对应处设置有上电极，所述上电极与上介质板之间设置有绝缘材料；所述低频交流电源与下电极连接，并提供低频交流功率，所述高频射频电源与下电极连接，并提供高频射频功率，上电极接地处理。
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