[发明专利]互补金属氧化物半导体图像感测器及光二极管与形成方法有效
| 申请号： | 201710569186.6 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109256402B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 吴扬;依那.派翠克 | 申请（专利权）人： | 恒景科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像感测器及其光二极管(PD)与形成方法，该互补金属氧化物半导体图像感测器的光二极管包含具第二型的顶部光二极管，设于第一型层内；及具第二型的底部光二极管，设于第一型层内且位于顶部光二极管之下。底部光二极管包含至少一个具第二型的次光二极管(sub‑PD)连接至顶部光二极管，且包含至少一个具第一型的次阱区被次光二极管围绕。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 图像 感测器 二极管 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种互补金属氧化物半导体图像感测器的光二极管，包含：具第二型的顶部光二极管，设于第一型层内；及具第二型的底部光二极管，设于该第一型层内且位于该顶部光二极管之下，该底部光二极管包含至少一个具第二型的次光二极管连接至该顶部光二极管，且包含至少一个具第一型的次阱区被该次光二极管围绕。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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