[发明专利]一种薄膜晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种型薄膜晶体管的制造方法，方法包括如下步骤依次沉积半导体层、金属层；在金属层上方涂布光阻层；对光阻层进行曝光处理，图案化光阻层，其中一部分形成薄光阻层，其余部分形成厚光阻层或者无光阻层；第一次刻蚀，刻蚀金属层和半导体层，去除无光阻层覆盖的部分；灰化光阻层，去除薄光阻层，暴露出位于薄光阻层下方的金属层；第二次刻蚀，刻蚀金属层，形成源极、漏极以及沟道区，暴露出位于沟道区的半导体层；去除光阻层。本发明通过提出一种制造方法，减少了一道光罩数，降低了薄膜晶体管的制造成本的，优化了工艺流程。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该方法包括：第一步，依次沉积半导体层(2)和金属层(3)；第二步，在所述金属层(3)上方涂布光阻层(4)；第三步，对所述光阻层(4)进行曝光处理，图案化所述光阻层(4)，其中一部分形成薄光阻层(5)，其余部分形成厚光阻层或者无光阻层；第四步，刻蚀所述金属层(3)和半导体层(2)，去除无光阻层覆盖的部分；第五步，灰化所述光阻层，去除所述薄光阻层(5)，暴露出位于所述薄光阻层(5)下方的金属层；第六步，刻蚀所述金属层，形成源极、漏极以及沟道区(6)，暴露出位于所述沟道区(6)的半导体层；第七步，去除光阻层(4)。